| 发明名称 | 图案化方法、制造半导体器件的方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了图案化方法、制造半导体器件的方法以及半导体器件。所述图案化方法包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成掩模图案；以及使用掩模图案作为刻蚀掩模对刻蚀目标层进行刻蚀以形成彼此间隔开的图案。对刻蚀目标层的刻蚀处理包括利用入射能量在600eV至10keV的范围内的离子束照射刻蚀目标层。在各掩模图案之间的刻蚀目标层中形成凹进区，所述离子束以相对于衬底的顶面的第一角度入射至凹进区的底面，并以相对于凹进区的内侧面的第二角度入射至凹进区的内侧面。第一角度在50°至90°的范围内，第二角度在0°至40°的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN105826463A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201610037265.8 | 申请日期 | 2016.01.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴钟撤;权亨峻;金仁皓;朴钟淳 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张帆;崔卿虎 |
| 主权项 | 一种形成图案的方法，包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在所述刻蚀目标层上形成掩模图案；以及使用所述掩模图案作为刻蚀掩模对所述刻蚀目标层进行刻蚀，以形成彼此间隔开的图案，其中，对所述刻蚀目标层进行刻蚀包括：用离子束照射所述刻蚀目标层，所述离子束的入射能量在600eV至10keV的范围内；其中，对所述刻蚀目标层进行刻蚀包括：在各掩模图案之间的刻蚀目标层中形成凹进区；并且其中，所述离子束以相对于所述衬底的顶面的第一角度入射至所述凹进区的底面上，并且以相对于所述凹进区的内侧面的第二角度入射至所述凹进区的内侧面上，其中所述第一角度在50°至90°的范围内，并且所述第二角度在0°至40°的范围内。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||