半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的之一是提供一种包括氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。通过在超过200℃的温度下利用溅射法形成用作晶体管的沟道形成区的氧化物半导体膜，使根据热脱附谱分析法从所述氧化物半导体膜脱离的水分子的数量为0.5个/nm³以下。通过防止会成为包括氧化物半导体膜的晶体管的电特性变动原因的水、氢、羟基或氢化物等的包含氢原子的物质混入到氧化物半导体膜中，可以使氧化物半导体膜高纯度化并成为电特性i型（本征）化半导体。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：通过在高于300℃且低于或等于500℃的温度下利用溅射法形成作为晶体管的沟道形成区的氧化物半导体膜，使得根据热脱附谱分析法从所述氧化物半导体膜脱离的水分子的数量为0.1/nm³以下并且所述氧化物半导体膜的载流子密度小于1×10¹²/cm³。