一种半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置，包括一基板，所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极，其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层，金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧，非晶硅层位于与源极和漏极之间，多晶硅层位于源极和漏极下方且与非晶硅层的两侧接触。本发明还公开了该半导体装置的制造方法。本发明能降低设备投资，缩短生产周期，保证氧化物半导体层的结构不受到破坏，避免源极和漏极的金属成分渗入氧化物半导体层。

主权项

一种半导体装置，包括一基板，所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极，其中所述有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层，所述金属氧化物半导体层位于与所述栅极绝缘层接触的一侧，所述非晶硅层位于与所述源极和所述漏极之间，所述多晶硅层位于所述源极和所述漏极下方且与所述非晶硅层的两侧接触，所述多晶硅层是由所述非晶硅层通过金属横向诱导法工艺转化成的，所述源极和所述漏极之间沟道处的所述非晶硅层被刻蚀掉一部分。