| 摘要 |
산화물 반도체를 사용한 박막 트랜지스터에 있어서, 전계 효과 이동도를 향상시키는 것을 과제의 하나로 한다. 또한, 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 향상시키더라도, 오프 전류의 증대를 억제하는 것을 과제의 하나로 한다. 산화물 반도체층을 사용한 박막 트랜지스터에 있어서, 산화물 반도체층과 게이트 절연층의 사이에, 상기 산화물 반도체층보다 도전율이 높고, 막 두께가 얇은 반도체층을 형성함으로써, 상기 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 향상시켜, 또한 오프 전류의 증대를 억제할 수 있다. |
