一种中红外发光晶体材料、及其制备方法与应用

摘要

本发明提供了一种中红外发光晶体材料，其为Bi₄Ge₃O₁₂晶体材料，由纯度高于99.9%摩尔配比为2:3的Bi₂O₃和GeO₂，通过以下步骤制得，步骤1，制备Bi₂O₃和GeO₂混合粉料；步骤2，制备Bi₄Ge₃O₁₂晶体。该中红外发光晶体材料由于晶体Bi离子的含量高，有利于产生高强度和超宽带的中红外发光波段，物化性能稳定，材料加工方便，也可根据需要拉制成光纤，能够与其它光学系统具有很好的兼容性，激发条件简单，适用于激光二极管泵浦，能够很好的利用现在已经发展成熟的二级管激光作为泵浦源，从而得到紧凑型、高效率、低成本商用激光器。

主权项

一种制备中红外发光晶体材料的方法，其特征在于，所述晶体材料为Bi₄Ge₃O₁₂晶体材料，所述Bi₄Ge₃O₁₂晶体材料由Bi₂O₃和GeO₂制成，包括以下步骤：步骤1，按照化学式Bi₄Ge₃O₁₂的比例，提供Bi₂O₃和GeO₂，将Bi₂O₃和GeO₂混合后压制成块，再烧结，所述烧结是把压制成块的Bi₂O₃和GeO₂混合物烧结15小时，烧结温度为700℃，最后研磨制成粉料；步骤2，将步骤1中得到的混合粉料熔融，然后采用提拉法结晶制备Bi₄Ge₃O₁₂晶体；其中，所述发光晶体材料的发光范围为1800～3020nm。