发明名称 片式铂热敏电阻器制作方法
摘要 本发明属于电阻制造技术领域,具体公开了一种片式铂热敏电阻器制作方法,包括表背电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、裂片、烧结、端涂、电镀,具体制作步骤在于,设计迷宫图形,制作阻挡层阳图,通过磁控溅射工艺在陶瓷基板表面形成一层铂薄膜,最后通激光调阻将铂电阻的阻值调整到目标阻值,最后经过切条、分割、测试、封装等工艺形成铂薄膜电阻温度传感器成品。该制作方法制作的片式铂热敏电阻器具有精度高、稳定性好、可靠性高、应用温度范围广等特点,不仅广泛应用于工业测温,而且被制成各种标准温度计供计量和校准使用。
申请公布号 CN103021605B 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201210557034.1 申请日期 2012.12.19
申请人 中国振华集团云科电子有限公司 发明人 朱沙;张青;张弦;史天柯;李胜;韩玉成;陈传庆;朱威禹;王黎斌;李静
分类号 H01C7/02(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I 主分类号 H01C7/02(2006.01)I
代理机构 云南派特律师事务所 53110 代理人 岳亚苏
主权项 一种片式铂热敏电阻器制作方法,包括表电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、裂片、烧结、端涂、电镀,其特征在于:具体制作方法如下,1)、选取氧化铝陶瓷基片,按常规方法使用三氯乙烷、无水乙醇对氧化铝陶瓷基片进行抛光打磨、清洗,要求氧化铝陶瓷基片的表面粗糙度小于50纳米,干燥;2)、铂薄膜的沉积,采用溅射镀膜的方式制备Pt薄膜,靶材为纯铂金,溅射过程中充入1~5sccm的氮气和100sccm的氩气,溅射功率500~900瓦,溅射时间20~60分钟;3)、铂薄膜热处理,磁控溅射,正离子冲击靶面,溅出铂原子淀积在基片上,经过晶粒的形成、长大、晶核合并、沟道和空洞的四个阶段,形成了连续膜;通过热处理,将薄膜由介稳状态转变到隐定状态,消除空位、位错、净利间界缺陷,降低薄膜的ρ,增大TCR,排除膜中部分气态、固态杂质;4)、光刻,采用常规方法进行涂胶、前烘、曝光、显影、硬烘、刻蚀、去胶,将设计在掩膜版上的阻挡层阳图通过干法蚀刻转移到铂薄膜上,要求薄膜铂电阻阻值控制在最大电阻值的90%~95%范围内;5)、Au电极制作,使用溅射镀膜的方式制作纯金电极,用于焊接引线和电路连接;6)、激光调阻,用常规方法对电阻体进行S形切割,调阻精度控制在±0.04%以内;7)、引线焊接和包封,经过点焊接进行引线焊接,玻璃釉保护层制备印刷,烘干,烧结工艺,完成包封;8)、划片,用常规方法将整版按单元尺寸划成单片;9)、按照常规方法进行老化。
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