| 发明名称 | 用于基于氮化镓或其它氮化物的半导体装置的背侧应力补偿 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种方法，其包含在半导体衬底(102)的第一侧上形成(302)应力补偿层(104)及在所述衬底的第二侧上形成(304)III族氮化物层(108a、108b、110、112)。所述III族氮化物层在所述衬底上产生的应力通过所述应力补偿层在所述衬底上产生的应力而至少部分地减小(306)。形成所述应力补偿层可包含从非晶或微晶材料形成应力补偿层。并且，所述方法可包含在随后在所述衬底的所述第二侧上形成一个或一个以上层(106到114)期间使所述非晶或微晶材料结晶。使所述非晶或微晶材料结晶可发生于随后形成所述III族氮化物层期间及/或退火工艺期间。所述非晶或微晶材料可在所述衬底上不产生应力或产生较小量的应力，且所述经结晶的材料可在所述衬底上产生较大量的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN102549716B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201080042886.6 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 国家半导体公司 | 发明人 | 贾迈勒·拉姆达斯 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体结构的方法，其包括：在半导体衬底的第一侧上形成应力补偿层；在所述半导体衬底的第二侧上形成III族氮化物层；及形成热应力管理层，所述热应力管理层包括氮化铝层以及具有不同镓浓度的多个氮化铝镓层，所述多个氮化铝镓层产生压缩应力；其中所述III族氮化物层在所述半导体衬底上产生的应力通过所述应力补偿层在所述半导体衬底上产生的应力而至少部分地减小。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||