发明名称 | 硅晶片加工液及硅晶片加工方法 | ||
摘要 | 用于硅晶片加工方法的硅晶片加工液,其掺混有含有含氮化合物的摩擦调节剂,含氮化合物在将与水的质量比(含氮化合物/水)设为1/99时pH为2以上且8以下。含氮化合物优选为杂环化合物。硅晶片加工液可抑制锯丝上固定有的磨料颗粒的磨损和氢的产生。 | ||
申请公布号 | CN103053010B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
申请号 | CN201180040687.6 | 申请日期 | 2011.08.23 |
申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 北村友彦 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 林毅斌;林森 |
主权项 | 硅晶片加工液,其特征在于,所述硅晶片加工液为掺混含有含氮化合物的摩擦调节剂而成的硅晶片加工液,所述含氮化合物在将与水的质量比(所述含氮化合物/所述水)设为1/99时pH为2以上且8以下,所述含氮化合物为杂环化合物,所述杂环化合物为苯并三唑、3,4‑二氢‑3‑羟基‑4‑氧代‑1,2,3‑苯并三嗪、吲唑、苯并咪唑和它们的衍生物中的至少任一种,所述硅晶片加工液的pH为3以上且9以下,以该硅晶片加工液总量为基准,所述含氮化合物的含量为0.05质量%以上且10质量%以下,在利用固定有磨料颗粒的锯丝的硅晶片加工中使用。 | ||
地址 | 日本东京都千代田区丸之内3丁目1番1号 |