具有垂直栅极的半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有垂直栅极的半导体元件以及具有垂直栅极的半导体元件的制造方法，该方法包括：提供一基底；于基底中形成一凹槽；于凹槽的底部和侧壁形成一栅极介电层；形成一黏着层于凹槽中的栅极介电层上，其中黏着层是一金属氮硅化物层；及形成一栅极层于凹槽中的黏着层上。本发明形成金属氮硅化物黏着层具有避免于栅极介电层和栅极层间产生孔洞的优点。

主权项

一种具有垂直栅极的半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；形成一多晶硅层于该基底上；在形成该多晶硅层于该基底上后，于该多晶硅层中形成源极/漏极区；于该基底中形成一凹槽；于该凹槽的底部和侧壁形成一栅极介电层；形成一黏着层于该凹槽中的该栅极介电层上，该黏着层是一金属氮硅化物层；及形成一栅极层于该凹槽中的该黏着层上。