光刻胶去除方法及半导体器件制作方法

摘要

本发明提供一种光刻胶去除方法及半导体器件制作方法，先在低温环境下对待去除的光刻胶层进行湿法浸泡清洗，从而可以软化并去除该光刻胶层表层的大部分硬壳，同时可以降低整个光刻胶层去除的成本；然后再对清洗后的半导体衬底进行紫外光照射烘干并维持低温，从而改变剩余硬壳的性质，并避免光刻胶内易挥发溶剂散发导致光刻胶聚合物杂质的产生，使其容易通过后续的灰化处理工艺去除，同时对湿法清洗后的半导体衬底进行了烘干，从而为后续灰化处理工艺提供良好的反应环境；最后通过灰化处理工艺快速、高效的完成整个去胶过程，能够解决光刻胶残留问题，避免光刻胶残留物造成的器件缺陷，提高制造的半导体器件的稳定性和良率。

主权项

一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，其上具有待去除的光刻胶层；在120℃以下的条件下，对所述半导体衬底的光刻胶层进行湿法浸泡清洗；以除去所述光刻胶层的表面；对清洗后的半导体衬底进行紫外光照射烘干，并维持半导体衬底温度低于120℃；对紫外光照射后的半导体衬底进行灰化处理，去除剩余的光刻胶层。