电阻式随机存取存储器单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种电阻式随机存取存储器单元及其制造方法，是有关于一种以金属氧化物为基础的存储器装置及其制造方法，且特别是有关于一种存储器装置，其具有以金属氧化合物为基础的数据储存物质，其制造方法是利用粗糙度调整工艺，包括在底电极表面形成存储器元件之前，在底电极表面上先进行氧化再离子轰击(ion bombardment)步骤。先氧化再离子轰击步骤可改善底电极表面的平坦度，以及降低底电极的表面粗糙度，有利于操作时达到更均匀的电场，从而改善存储器装置的稳定性。

主权项

一种制造电阻式随机存取存储器单元的方法，包括：形成穿过一绝缘层的一层间导电层，该层间导电层具有一第一端及一第二端；以及自该层间导电层的该第二端形成一存储器元件，包括：使该层间导电层的第二端下陷至低于该绝缘层的一上表面；平坦化该层间导电层的该第二端，于该层间导电层上产生一平坦上表面；在该绝缘层中该层间导电层的该第二端周围形成一凹陷，其中该凹陷包括一底部以及一凹形侧壁部，该底部具有低陷于该绝缘层上表面的一表面，该凹形侧壁部从该底部延伸出来；以及氧化该平坦的层间导电层的该第二端，以形成该存储器元件。