发明名称 | 通过纵向源极跟随器感测的反向电流保护电路 | ||
摘要 | 提供了通过纵向源极跟随器感测的反向电流保护电路。单片集成电路包括低电压控制电路、纵向功率晶体管以及源极跟随器。纵向功率晶体管至少包括漏极。源极跟随器包括耦合到纵向功率晶体管的漏极的漏极、耦合到限制电压节点的栅极以及耦合到高阻抗节点的源极。源极跟随器被布置为使得在源极跟随器的源极处的源极电压是纵向功率晶体管的漏极电压的电压受限版本。低电压控制电路包括驱动器和保护电路,被布置为检测源极电压,驱动纵向功率晶体管,并且至少部分地基于源极电压来调节纵向功率晶体管如何被偏置。 | ||
申请公布号 | CN105827233A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
申请号 | CN201610046519.2 | 申请日期 | 2016.01.22 |
申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | A·芬尼;B-E·马泰 |
分类号 | H03K19/003(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/003(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
主权项 | 一种设备,包括:单片集成电路,包括:低电压控制电路;至少包括漏极的纵向功率晶体管;以及源极跟随器,所述源极跟随器包括耦合到所述纵向功率晶体管的所述漏极的漏极、耦合到限制电压节点的栅极以及耦合到高阻抗节点的源极,其中所述源极跟随器被布置为使得在所述源极跟随器的所述源极处的源极电压是所述纵向功率晶体管的漏极处的电压的电压受限版本,其中所述低电压控制电路包括驱动器和保护电路,所述驱动器和保护电路被布置为检测所述源极电压,驱动所述纵向功率晶体管,并且至少部分地基于所述源极电压来调节所述纵向功率晶体管如何被偏置。 | ||
地址 | 德国诺伊比贝尔格 |