发明名称 |
晶圆键合方法以及晶圆键合结构 |
摘要 |
本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构,所述晶圆键合方法包括:提供第一晶圆和第二晶圆;在第一晶圆、第二晶圆的第一金属垫、第二金属垫中的一个或两个上,形成共晶连接结构;对第一晶圆、第二晶圆进行键合工艺,使第一金属垫、第二金属垫分别与共晶连接结构发生共晶反应。采用共晶反应的键合工艺,第一金属垫和第二金属垫相互连接的效果更好。在键合工艺对第一金属垫和第二金属垫表面平整度要求不高,无需进行平坦化工艺,降低了晶圆边缘位置处的第一金属垫和第二金属垫产生接触不良的风险。共晶反应无需高温退火,对晶圆中半导体器件的影响较小。 |
申请公布号 |
CN105826243A |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201510011875.6 |
申请日期 |
2015.01.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
施林波;陈福成;刘尧;徐伟 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
高静;骆苏华 |
主权项 |
一种晶圆键合方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆上形成有第一金属垫,所述第二晶圆上形成有第二金属垫;在所述第一金属垫、第二金属垫中的任意一个或两个上形成共晶连接结构;将第一晶圆、第二晶圆相对设置,使所述第一金属垫和第二金属垫相互对准;所述第一金属垫、第二金属垫分别与共晶连接结构发生共晶反应,以实现第一晶圆和第二晶圆的键合。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |