| 发明名称 | 注入隔离器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种器件，包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸至半导体衬底内且围绕有源区的注入隔离区。栅极介电层沉积在半导体衬底的有源区上方，其中所述栅极介电层在注入隔离区上方延伸。栅电极沉积在栅极介电层上方并且端盖介电层在注入隔离区上方的栅极介电层和栅电极之间。本发明还公开了注入隔离器件及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103715129B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201310036529.4 | 申请日期 | 2013.01.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;许慈轩;王文德;许文义 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：具有有源区的半导体衬底；注入隔离区，围绕所述有源区并且从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内；栅极介电层，位于所述有源区上方并且至少部分位于所述注入隔离区上方；栅电极，位于部分所述栅极介电层上方；以及端盖介电层，位于所述注入隔离区上方的所述栅极介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||