具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法。该器件可以包括布置在不同垂直层面以限定两个交叉点的第一、第二和第三导线，以及分别布置在这两个交叉点处的两个存储器单元。所述第一和第二导线可以彼此平行地延伸，所述第三导线可以延伸成与所述第一和第二导线交叉。在垂直截面视图中，所述第一和第二导线可以沿着所述第三导线的长度交替设置，并且所述第三导线可以在垂直方向上与所述第一和第二导线间隔开。

主权项

一种半导体存储器器件，包括：第一导线，沿第一方向延伸；第二导线，平行于所述第一导线沿着所述第一方向延伸并且布置成在垂直于所述第一方向的垂直方向上比所述第一导线高，其中，每条第二导线在垂直于所述第一方向和所述垂直方向的第二方向上从对应的一条第一导线偏移，相邻的第一导线和第二导线之间在所述第二方向上不存在间隙；第三导线，沿着所述第二方向延伸以与所述第一导线和第二导线交叉从而与所述第一导线和第二导线形成交叉点，并且布置成在所述垂直方向上比所述第二导线高；以及第一存储器单元和第二存储器单元，分别设置在所述第一导线与所述第三导线的交叉点处以及所述第二导线与所述第三导线的交叉点处。