一种形成多层复合式接触孔刻蚀阻挡层的方法

摘要

本发明公开了一种制备多层复合式接触孔刻蚀阻挡层的方法，包括以下步骤：依次沉积多层第一氮化硅层形成第一阻挡层，并在每次沉积每层氮化硅层后都进行紫外线辐射处理；沉积第二氮化硅层形成第二阻挡层；所述第一阻挡层和第二阻挡层共同构成所述复合结构应力接触孔刻蚀停止层。通过采用两种不同的工艺制备两层氮化硅层共同构成应力接触孔刻蚀停止层，不仅增加了PMOS NBTI的特性，在多晶硅拐角处不容易产生断裂，同时还增大了CT干法刻蚀的窗口，极大改善了生产工艺，提升了器件性能。

主权项

一种制备多层复合式接触孔刻蚀阻挡层的方法，其特征在于，包括以下步骤：依次沉积多层第一氮化硅层形成第一阻挡层，并在每次沉积每层第一氮化硅层后立即进行紫外线辐射处理；沉积第二氮化硅层形成第二阻挡层；所述第一阻挡层和第二阻挡层共同构成复合结构应力接触孔刻蚀停止层；其中，所述第二氮化硅层为经过N₂等离子处理的Si₃N₄。