| 发明名称 | 用于形成堆栈金属接点与半导体晶圆内铝线电连通的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于形成堆栈金属接点与半导体晶圆内铝线电连通的方法，该方法包含以下步骤：形成至少一钝化层于该集成电路的半导体晶圆的一表面上，并将一铝线嵌入于该半导体晶圆上；经由该钝化层形成一图案化接点穿孔开口，以露出该铝线；通过化学蚀刻从该图案化接点穿孔开口移除一部分铝线，并同时形成一薄锌膜于一蚀刻的表面上；形成一镍膜堆栈层于该锌膜上；及通过化学电镀或金属电镀，形成一金属堆栈层于该图案化接点穿孔开口中及/或至少一部分该钝化层上。 | ||
| 申请公布号 | CN105826206A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510002890.4 | 申请日期 | 2015.01.05 |
| 申请人 | 旭景科技股份有限公司 | 发明人 | 林继周;和正平 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人 | 孙皓晨 |
| 主权项 | 一种用于形成堆栈金属接点与半导体晶圆内铝线电连通的方法，其特征在于，包含以下步骤：A.形成至少一钝化层于该集成电路的半导体晶圆的一表面上，并将一铝线嵌入于该半导体晶圆上；B.经由该钝化层形成一图案化接点穿孔开口，以露出该铝线；C.通过化学蚀刻从该图案化接点穿孔开口移除一部分铝线，并同时形成一薄锌膜于一蚀刻的表面上；D.形成一镍膜堆栈层于该锌膜上；及E.通过化学电镀或金属电镀，形成一金属堆栈层于该图案化接点穿孔开口中及/或至少一部分该钝化层上，其中该半导体晶圆具有一阻障层在该铝线下。 | ||
| 地址 | 中国台湾新北市新店区明德路65巷8号4F | ||