MEMS器件的形成方法

摘要

一种MEMS器件的形成方法，采用在一第一晶圆上形成凹槽，在凹槽底部形成MEMS器件的固定电极，在一第二晶圆上形成牺牲层及可动电极，两晶圆键合后，研磨去除第二晶圆，并至少去除部分牺牲层，从而释放可动电极，将可动电极悬浮在由第一晶圆上的凹槽以及第二晶圆上去除牺牲层后形成的空间所构成的空腔内。由于本方案中的固定电极、可动电极分别采用两晶圆制作，因而，相对于上述部件采用在同一晶圆上沉积多层制作形成的方案，本方案每个晶圆所需沉积的层数较少，应力较小，能避免形成MEMS器件的晶圆出现翘曲。

主权项

一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆正面具有凹槽，所述凹槽底部形成有固定电极；提供第二晶圆，在所述第二晶圆正面自下而上至少依次形成研磨终止层、牺牲层、器件层，去除所述器件层的部分区域以形成可动电极；键合所述第一晶圆与第二晶圆，所述可动电极位于所述凹槽的顶部，从所述第二晶圆的背面研磨所述第二晶圆停止在所述研磨终止层；在所述研磨终止层上形成开口，从所述开口去除部分所述牺牲层，以释放所述可动电极。