一种有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法

摘要

本发明涉及一种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法，属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括：制备具有一定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器；测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据；将所述存储窗口数据进行线性拟合，计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压；根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度；根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差，计算最小隧穿势垒；根据所述最小隧穿势垒和电场强度，计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。

主权项

一种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法，其特征在于，包括以下具体步骤：(1)、制备驻极体型有机场效应晶体管存储器，驻极体厚度为d₁，介电常数为k₁，栅绝缘层厚度为d₂，介电常数为k₂；(2)、测试并提取所述存储器在不同的编程电压V_Prog下的存储窗口数据ΔV_TH；所述存储窗口数据ΔV_TH，指根据转移曲线计算得出阈值电压值，定义编程后的阈值电压与初始状态的阈值电压绝对值的差值为存储窗口数据，进一步包括至少取得3‑5组存储窗口数据；(3)、将所述存储窗口数据进行线性拟合，计算厚度为d₁的驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压V_Prog‑min；所述最小编程电压V_Prog‑min，指根据存储窗口数据做出ΔV_TH～V_Prog关系图，将ΔV_TH进行线性拟合后其与V_Prog轴的交点，定义为V_Prog‑min；(4)、根据所述最小编程电压计算驻极体中的电场强度E_TH,其中，E_TH＝V_Prog‑min/(d₁+d₂k₁/k₂)；(5)、根据有机半导体层材料与驻极体材料的能级差，计算最小隧穿势垒(6)、根据所述最小隧穿势垒和电场强度，计算得出驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度d_min；所述最小存储深度d_min，定义为在一定厚度的驻极体中，在最小编程电压下，电荷隧穿的最大深度，其中，该值