发明名称 |
一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶及其制备方法,目的在于,能够用于极端环境下的高温测量需求,所采用的技术方案为:一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶,包括设置在陶瓷基片上的两个热电极,两个热电极相互搭接,两个热电极的材料均采用铬酸镧薄膜,铬酸镧薄膜中掺杂有Mg、Ca、Sr、Ba、Co、Cu、Sm、Fe、Ni和V中的一种或几种掺杂元素,所述两个热电极采用的铬酸镧薄膜中掺杂有不同种掺杂元素,或者掺杂有含量不同的同种掺杂元素。 |
申请公布号 |
CN105823569A |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201610272878.X |
申请日期 |
2016.04.27 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
史鹏;任巍;刘丹;刘明;田边;蒋庄德 |
分类号 |
G01K7/02(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I |
主分类号 |
G01K7/02(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶,其特征在于,包括设置在陶瓷基片上的两个热电极,两个热电极相互搭接,两个热电极的材料均采用铬酸镧薄膜,铬酸镧薄膜中掺杂有Mg、Ca、Sr、Ba、Co、Cu、Sm、Fe、Ni和V中的一种或几种掺杂元素,所述两个热电极采用的铬酸镧薄膜中掺杂有不同种掺杂元素,或者掺杂有含量不同的同种掺杂元素。 |
地址 |
710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 |