半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体制造方法，利用离子注入和退火工艺，在半导体晶圆的正面形成了突变结；之后，利用JPV技术，在半导体晶圆的背面定位突变结的位置，从而确定晶圆位置，定位精度控制在纳米量级，远优于现有的对准方法，实现了半导体晶圆的快速、精确定位。本发明的定位方式工艺简单，完全与现有的集成电路和MEMS工艺兼容，不会增加流程的复杂性，在精确和快速背面对准的基础上，提高了生产良率，并且降低了成本。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于实现半导体器件制造过程中的半导体晶圆的背面对准，包括：提供半导体晶圆，其具有正面和背面；在所述半导体晶圆的正面形成具有对准标记的图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层暴露出所述对准标记区域的所述半导体晶圆的表面；在所述对准标记区域的所述半导体晶圆的表面进行离子注入；去除所述图案化光刻胶层；对所述半导体晶圆进行退火工艺处理，以在所述对准标记区域形成突变结；将所述半导体晶圆翻转，在所述半导体晶圆的背面涂覆背面光刻胶层；利用JPV技术，在所述半导体晶圆的背面定位所述突变结位置，从而确定所述半导体晶圆的位置，实现所述半导体晶圆的背面对准；在所述半导体晶圆的背面进行曝光，图案化所述背面光刻胶层，用以制备背面器件。