发明名称 |
基板处理系统 |
摘要 |
本文所述的实施例涉及基板处理系统。处理系统可以包括多个子系统或群集工具。所述处理系统的每个群集工具可以包括掩模腔室以及一个或多个处理腔室。所述掩模腔室可配置成对在所述处理腔室中的各种沉积工艺期间所利用的掩模加热。在一个实施例中,可在所述第一群集工具中,将第一层沉积在基板上;并且可在所述第二群集工具中,将第二层沉积在基板上。 |
申请公布号 |
CN205428877U |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201520881915.8 |
申请日期 |
2015.11.06 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
S·安瓦尔;T·松本 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
黄嵩泉 |
主权项 |
一种基板处理系统,所述基板处理系统包括:第一群集工具,所述第一群集工具包括:第一传送腔室;第一掩模腔室,耦接至所述第一传送腔室;以及一个或多个第一处理腔室,耦接至所述第一传送腔室;第二群集工具,所述第二群集工具包括:第二传送腔室;第二掩模腔室,耦接至所述第二传送腔室;以及一个或多个第二处理腔室,耦接至所述第二传送腔室;以及通路,所述通路设置在所述第一群集工具与所述第二群集工具之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |