功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法

摘要

本发明涉及功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法。本发明涉及功率半导体模块(100)，其包括被设置在绝缘载体(20)的金属化层(22)上的功率半导体芯片(8)。在连接位置(8c)处，连接导体(85)被接合至功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面。封装化合物(5)从电路载体(2)延伸至至少在功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面上，并完全覆盖所述面。此外，封装化合物至少在连接位置(8c)的区域中包围连接导体(85)。封装化合物依照DIN ISO 2137在25℃温度下具有小于或等于30的穿透率。在功率半导体模块工作期间，功率半导体芯片(8)以至少20秒的持续时间工作在不低于150℃的结温度下。

主权项

一种功率半导体模块，包括：‑电路载体(2)，其包括具有顶面(20t)的绝缘载体(20)，金属化层(22)设置在所述顶面上；‑功率半导体芯片(8)，其设置在金属化层(22)的背离电路载体(2)上的绝缘载体(20)的那一面上，并在其背离电路载体(2)的顶面(8t)上具有上部芯片金属化物(82)，所述上部芯片金属化物由具有大于或等于1μm的厚度(d82)的铜或铜合金构成；‑电连接导体(85)，其由铜或铜合金构成，并且在连接位置(8c)处连接到上部芯片金属化物(82)；‑封装化合物(5)，所述封装化合物‑从电路载体(2)延伸到至少在功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面之上，并完全覆盖所述面；‑至少在连接位置(8c)的区域中包围所述连接导体；‑依照DINISO2137在25℃的温度下具有小于或等于30的穿透率。