| 发明名称 | 形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN103872200B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201310675942.5 | 申请日期 | 2013.12.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李成淑;金沃炫;李东律;李东柱;李庭旭;李宪昊 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种形成半导体层的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成多个纳米柱；在所述衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的所述纳米柱；去除所述纳米柱，以在所述下部半导体层中形成空隙；以及在所述下部半导体层和所述空隙的上部上形成上部半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||