发明名称 |
石墨烯压力传感器 |
摘要 |
本发明涉及石墨烯压力传感器。一种半导体纳米压力传感器器件具有石墨烯膜,所述石墨烯膜悬置在形成于半导体衬底中的开放腔之上。悬置的石墨烯膜用作活动机电膜以感测压力,其可被制造为非常薄,厚度为约1个原子层到约10个原子层,以改善半导体压力传感器器件的灵敏度和可靠度。 |
申请公布号 |
CN103378082B |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201310124655.5 |
申请日期 |
2013.04.11 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
蔡劲;吴燕庆;朱文娟 |
分类号 |
H01L27/01(2006.01)I;G01L7/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/01(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
于静;张亚非 |
主权项 |
一种半导体压力传感器器件,包括:绝缘层,其被设置在半导体衬底上,所述绝缘层包括凹腔;悬置的石墨烯膜,其被设置在所述绝缘层的表面上,完全覆盖所述凹腔;第一感测电极和第二感测电极,其被设置在所述悬置的石墨烯膜的相反侧上的所述绝缘层上且与所述悬置的石墨烯膜接触;密封环,其围绕所述第一和第二感测电极以及所述悬置的石墨烯膜的外侧壁而形成密封件;支撑的石墨烯膜,其被设置在与所述悬置的石墨烯膜邻近的区域中的所述绝缘层的表面上,其中所述支撑的石墨烯膜的一面上的整个表面区域与所述绝缘层接触;第三感测电极和第四感测电极,其被设置在所述支撑的石墨烯膜的相反侧上的所述绝缘层上且与所述支撑的石墨烯膜接触;以及第二密封环,其围绕所述第三和第四感测电极以及所述支撑的石墨烯膜的外侧壁而形成密封件。 |
地址 |
美国纽约 |