| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供一半导体衬底，选择性刻蚀所述半导体衬底，以形成浅槽；沉积一第一介质层，所述第一介质层覆盖所述浅槽以及所述半导体衬底；进行湿法刻蚀，以去除表面部分的所述第一介质层；沉积一第二介质层，所述第二介质层覆盖剩余部分的所述第一介质层。本发明中，先沉积第一介质层，并采用湿法刻蚀去除部分所述第一介质层，之后沉积第二介质层，使得在进行第二次化学气相沉积过程中，沉积是在所述第一介质层上进行的，沉积速率不受硅晶格的影响，各个方向上沉积速率接近，形成边角均匀平滑的浅沟槽隔离粒结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105826191A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510006176.2 | 申请日期 | 2015.01.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘志坤;施平;陈应杰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，选择性刻蚀所述半导体衬底，以形成浅槽；沉积一第一介质层，所述第一介质层覆盖所述浅槽以及所述半导体衬底；进行湿法刻蚀，以去除表面部分的所述第一介质层；沉积一第二介质层，所述第二介质层覆盖剩余部分的所述第一介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||