| 发明名称 | 金属-绝缘体-金属（MIM）电容器和形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法。在一些实施例中，MIM电容器具有布置在半导体衬底上方的电容器底部金属(CBM)电极。MIM电容器具有设置在CBM电极上方的高k电介质和布置在高k介电层上方的电容器顶部金属(CTM)电极。MIM电容器具有垂直地设置在高k介电层上方并且与CTM电极横向分隔开的伪结构。伪结构包括具有与CTM电极相同的材料的导电体。 | ||
| 申请公布号 | CN105826166A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510367048.0 | 申请日期 | 2015.06.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 谢静佩;徐晨祐;刘世昌 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，包括：电容器底部金属(CBM)电极，设置在半导体衬底上方；高k介电层，设置在所述CBM电极上方；电容器顶部金属(CTM)电极，设置在所述高k介电层上方；以及伪结构，垂直地设置在所述高k介电层上方并且与所述CTM电极横向分隔开，其中，所述伪结构包括具有与所述CTM电极相同的材料的导电体。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||