发明名称 |
一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法 |
摘要 |
本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极,使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合,借助高倍光学显微镜,可以通过观察水蒸气凝结规律,从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外,本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子,通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态,因此不会在其表面引入杂质。 |
申请公布号 |
CN105823782A |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201610137382.1 |
申请日期 |
2016.03.10 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
郭剑;王紫东;贾越辉;龚欣;彭沛;田仲政;任黎明;傅云义 |
分类号 |
G01N21/88(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/88(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法,步骤如下:1)将制备有二维材料的衬底片烘干;2)在光学显微镜的载物台上固定放电电极,并将覆盖有二维材料的衬底片放置在载物台上;3)向衬底片表面通混有水蒸气的惰性气体,并在放电电极之间设置电压;4)在高倍光学显微镜下观察吸附在二维材料表面的小水珠的分布情况,随后烘干衬底片,完成二维材料中晶界和原子的缺陷表征。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |