| 发明名称 | 一种发光二极管芯片改进结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开一种发光二极管芯片改进结构，包括芯片主体，所述芯片主体的正面投影为菱形，P电极设置在菱形较长对角线一端，而N电极设置在该较长对角线的另一端。本实用新型可以提升抗静电击穿能力，且增大发光区面积。 | ||
| 申请公布号 | CN205428986U | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201520956955.4 | 申请日期 | 2015.11.26 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发明人 | 魏振东;陈凯轩;张永;李俊贤;陈亮;刘英策;黄新茂 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人 | 廖吉保;唐绍烈 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片改进结构，其特征在于：包括芯片主体，所述芯片主体的正面投影为菱形，P电极设置在菱形较长对角线一端，而N电极设置在该较长对角线的另一端。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号 | ||