| 发明名称 | 衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺 | ||
| 摘要 | 本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法，该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如，约＜100<img file="2006800108170abstract_0.GIF" wi="45" he="64" />/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地，蚀刻剂为氯气，并将衬底加热至小于约800℃的温度。在另一种实施方式中，提供了一种快蚀刻工艺(例如，约＞100<img file="2006800108170abstract_1.GIF" wi="45" he="64" />/min)，该工艺包括去除硅材料，同时在衬底表面的源极/漏极(S/D)区域内形成凹槽。在另一种实施方式中，提供了一种清洁处理室的方法，该方法包括将处理室内表面暴露于包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体。该室清洁工艺限制了对处理室内部的石英和金属表面的蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN101155648B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN200680010817.0 | 申请日期 | 2006.01.27 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 阿卡第·V·萨沐罗夫;阿里·佐扎伊 |
| 分类号 | B08B6/00(2006.01)I;C25F1/00(2006.01)I;C25F3/30(2006.01)I | 主分类号 | B08B6/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种在衬底表面上蚀刻含硅材料的方法，包括：将包括含有污染物的含硅材料的衬底定位在处理室中；将所述含硅材料暴露于由氯气、硅源和载气组成的蚀刻气体；和去除所述污染物和预定厚度的所述含硅材料，其中将所述处理室保持在550℃至650℃的温度下。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||