| 发明名称 | 具有氧化锌镁窗口层的薄膜光伏装置 | ||
| 摘要 | 描述了用于光伏装置和基底结构的方法和装置。在一个实施例中，光伏装置包括基底结构和CdTe吸收层，所述基底结构包括Zn<sub>1‑x</sub>Mg<sub>x</sub>O窗口层和低导电率缓冲层。另一个实施例涉及用于制造光伏装置的工艺，所述工艺包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺以及气相传输沉积工艺中的至少一种在基底上方形成Zn<sub>1‑x</sub>Mg<sub>x</sub>O窗口层。所述工艺包括在Zn<sub>1‑x</sub>Mg<sub>x</sub>O窗口层之上形成CdTe吸收层。 | ||
| 申请公布号 | CN103229306B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201180056108.7 | 申请日期 | 2011.09.21 |
| 申请人 | 第一太阳能有限公司 | 发明人 | 邵锐;马库斯·格洛克勒 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/073(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王占杰;韩素云 |
| 主权项 | 一种光伏装置，所述光伏装置包括：基底；透明导电氧化物层；低导电率缓冲层，在透明导电氧化物层之上；包括Zn<sub>1‑x</sub>Mg<sub>x</sub>O的第一窗口层，位于缓冲层之上，其中，0<x<1；包括CdS的第二窗口层，位于包括Zn<sub>1‑x</sub>Mg<sub>x</sub>O的第一窗口层之上；以及CdTe吸收层，其中，包括Zn<sub>1‑x</sub>Mg<sub>x</sub>O的第一窗口层相对于吸收层的导带偏移在0至+0.4eV的范围中。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州佩里斯堡 | ||