| 发明名称 | 用于半导体发光器件的接触 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102804417B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201080028617.4 | 申请日期 | 2010.05.21 |
| 申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J.E.埃普勒;A.J.F.戴维德 |
| 分类号 | H01L33/40(2006.01)I;H01L33/42(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李亚非;刘鹏 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：半导体结构，其包括布置在n型区与p型区之间的III族氮化物发光层；接触，其布置在p型区上，该接触包括：与p型区直接接触的透明导电材料；反射金属层；布置在透明导电层与反射金属层之间的透明绝缘材料；以及透明绝缘材料中的多个开口，其中在所述多个开口中透明导电材料与反射金属层直接接触，其中开口延伸到透明导电材料中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||