| 发明名称 | 存储器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种存储器结构。该存储器结构包括一绝缘层、一第一电极层以及一第一阻障层。绝缘层具有一凹室。第一电极层形成于凹室内，且第一电极层具有一第一上表面。第一阻障层形成于绝缘层与第一电极层之间，且第一阻障层具有一第二上表面。第二上表面低于第一上表面，且第一上表面与第二上表面皆低于凹室的一开口。 | ||
| 申请公布号 | CN105826346A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510307194.4 | 申请日期 | 2015.06.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林昱佑;李峰旻;卢建宏;曾钦义 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
| 主权项 | 一种存储器结构，其特征在于，包括：一绝缘层，具有一凹室；一第一电极层，形成于该凹室内，且该第一电极层具有一第一上表面；以及一第一阻障层，形成于该绝缘层与该第一电极层之间，且该第一阻障层具有一第二上表面；其中该第二上表面低于该第一上表面，且该第一上表面与该第二上表面皆低于该凹室的一开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||