半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成第一栅极；在第一栅极侧壁形成侧墙；在半导体衬底、第一栅极和侧墙上形成半导体材料层，半导体材料层的上表面高于第一栅极上表面；去除高于第一栅极的半导体材料层；对剩余半导体材料层进行回刻蚀，至去除覆盖在所述侧墙上的半导体材料层；对剩余半导体材料层部分进行图形化，在栅极两侧形成两第一接出部；在两第一接出部下对应形成第一源极和第一漏极。在本方案中，由于侧墙上的半导体材料层部分被刻蚀掉，减小甚至消除了第一栅极与第一源极、漏极之间的寄生电容，可以降低甚至消除第一栅极与第一源极、漏极之间的信号串扰，确保器件正常运行，且性能较佳。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一栅极；在所述第一栅极侧壁形成侧墙；在所述半导体衬底上、第一栅极上和侧墙上形成半导体材料层，所述半导体材料层的上表面高于第一栅极上表面；去除高于所述第一栅极上表面的半导体材料层部分；在去除高于所述第一栅极上表面的半导体材料层部分后，对剩余的半导体材料层部分进行回刻蚀，至去除覆盖在所述侧墙上的半导体材料层部分；在对剩余半导体材料层部分进行回刻蚀后，对剩余半导体材料层部分进行图形化，在所述第一栅极两侧的半导体衬底上形成两第一接出部；对两第一接出部及其下的半导体衬底进行离子注入，在两第一接出部下方的半导体衬底中形成第一源极和第一漏极。