| 发明名称 | 改进的电阻式随机存取存储器（RRAM）结构 | ||
| 摘要 | 提供了具有基于V族氧化物和氧化铪的高κ层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括底部电极层；V族氧化物层，布置在底部电极层上方；和氧化铪基层，布置在V族氧化物层上方并且邻接V族氧化物层。RRAM单元还包括覆盖层，布置在氧化铪基层上方并且邻接氧化铪基层；以及顶部电极层，布置在覆盖层上方。还提供了一种用于制备RRAM单元的方法。本发明实施例涉及改进的电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105826466A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510755878.0 | 申请日期 | 2015.11.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 金海光;蔡嘉雄;梁晋玮;蔡正原;林杏莲;杨晋杰;朱文定 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，包括：底部电极层；V族氧化物层，布置在所述底部电极层上方；氧化铪基层，布置在所述V族氧化物层上方并且邻接所述V族氧化物层；覆盖层，布置在所述氧化铪基层上方并且邻接所述氧化铪基层；以及顶部电极层，布置在所述覆盖层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||