掩模式只读存储器及其形成方法

摘要

一种掩模式只读存储器及其形成方法，其中形成方法包括：半导体衬底沿其厚度方向具有第一部分、第二部分，位于第一部分上且与第一部分接触的第二部分，第一部分具有第一型掺杂且沿第一方向分为隔离开的若干埋线；在埋线上的第二部分中形成沿第二方向隔离开的若干二极管，二极管具有第一电极、位于第一电极上的第二电极，第一电极与埋线接触，所第一电极具有第二掺杂且第二电极具有第二型掺杂；第二型掺杂和第一型掺杂为两反型掺杂，第一、二方向为两不同方向。本发明提供一种新的掩模式只读存储器，其形成工艺不会影响CMOS器件及其上的互连结构的性能，新的掩模式只读存储器可靠性较高。

主权项

一种掩模式只读存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底沿其厚度方向具有第一部分、位于所述第一部分上且与所述第一部分接触的第二部分，所述第一部分具有第一型掺杂，所述第一部分沿第一方向分为隔离开的若干埋线；在所述埋线上的第二部分中形成沿第二方向隔离开的若干二极管，所述二极管具有第一电极、位于所述第一电极上的第二电极，所述第一电极与埋线接触，所述第一电极具有第二掺杂且所述第二电极具有第二型掺杂；所述第二型掺杂和第一型掺杂为两反型掺杂，所述第一方向和第二方向为两不同方向。