| 发明名称 | 一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种纳米线阵列及其制备方法，具体是指一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在Si衬底上沉积一层金薄膜，然后将得到的金薄膜进行球化退火从而得到金颗粒，最后在金颗粒上生长Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线阵列。本发明的优点是：所制备的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线阵列分布均匀，纳米线的长径比可控；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好等特点，有望在半导体纳米线阵列器件中得到应用。 | ||
| 申请公布号 | CN105826362A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201610143013.3 | 申请日期 | 2016.03.13 |
| 申请人 | 浙江理工大学 | 发明人 | 陈烈裕;钱银平;王坤;李小云;王顺利;李培刚 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L29/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 郑海峰 |
| 主权项 | 一种氧化镓纳米线阵列，其特征在于由Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜纳米线阵列、金纳米颗粒以及n型Si衬底组成。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙白杨街道2号大街5号 | ||