| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开能够抑制终端区的绝缘层劣化的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有栅极沟槽(20)、覆盖栅极沟槽(20)的内表面的栅极绝缘膜(22)、被配置于栅极绝缘膜(22)的内侧的栅电极(24)。终端区(120)具有被形成于元件区(110)的周围的多个终端沟槽(30a～30j)和被配置于多个终端沟槽(30a～30j)各自的内侧的埋入绝缘层(32b～32e)。埋入绝缘层(32b)也被形成于半导体基板(10)的上表面上。在半导体基板(10)的上表面上形成有层间绝缘膜(40)。栅极配线(44)被形成于埋入绝缘层(32b)的上方，而未被形成于埋入绝缘层(32c～32e)的上方。 | ||
| 申请公布号 | CN105830222A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201480070414.X | 申请日期 | 2014.10.16 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 添野明高;福冈佑二 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 苏萌萌;范文萍 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具有半导体基板，所述半导体基板中形成有元件区和包围所述元件区的终端区，其中，所述元件区具有：栅极沟槽；栅极绝缘膜，其覆盖所述栅极沟槽的内表面；栅电极，其被配置于所述栅极绝缘膜的内侧，所述终端区具有：多个终端沟槽，其被形成于所述元件区的周围；沟槽内绝缘层，其被配置于所述多个终端沟槽各自的内侧；上表面绝缘层，其被配置于所述终端区内的所述半导体基板的上表面上，所述上表面绝缘层具有第一部分和第二部分，所述第二部分与所述第一部分相比厚度较薄，并被配置于与所述第一部分相比从所述元件区分离的位置处，栅极配线被配置于所述第一部分的上表面上，而未被配置于所述第二部分的上表面上。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||