| 发明名称 | 用于形成半导体封装件的方法 | ||
| 摘要 | 一种方法包括：将覆盖件置于下部封装元件的上方，其中，覆盖件包括与下部封装元件对准的开口。将上部封装元件置于下部封装元件的上方。上部封装元件与开口对准，在上部封装元件和下部封装元件之间设置焊料区域。将覆盖件和上部封装元件暴露在辐射中，以回流焊料区域。本发明还公开了用于形成半导体封装件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103111698B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201210074975.X | 申请日期 | 2012.03.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林修任;林志伟;陈正庭;郑明达;刘重希 |
| 分类号 | B23K1/005(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | B23K1/005(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体封装件的方法，包括：将覆盖件置于下部封装元件的上方，其中，所述覆盖件包括与所述下部封装元件对准的开口；将上部封装元件置于所述下部封装元件的上方，其中，所述上部封装元件与所述开口对准，以及其中，将焊料区域设置在所述上部封装元件和所述下部封装元件之间；将所述覆盖件和所述上部封装元件暴露在辐射中，以回流所述焊料区域，以及在将所述覆盖件和所述上部封装元件暴露在辐射中的步骤之后，从所述上部封装元件的上方去除所述覆盖件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||