具有可编程金属化单元的装置与电路及其操作和制造方法

摘要

本发明公开了一种具有可编程金属化单元的存储装置与集成电路及其操作方法与制造方法。该可编程金属化装置包括一第一电极和一第二电极、以及一第一介电层、一第二介电层、和一离子提供层串联地位于第一电极和第二电极之间。操作时，一电导桥形成或破坏于第一介电层中以表示一数据值。读取时，提供一读取偏压足以在第二介电层中形成一暂时的导电桥，且在导电桥存在于第一介电层时形成一传导途径穿过存储单元。若读取时导电桥不存在于第一介电层，便不形成传导途径。当读取偏压移除后，若对应的第一介电层中尚存在任何导电桥，形成于第二介电层中的导电桥便破坏。

主权项

一种存储装置，包括一可编程金属化单元，该可编程金属化单元包括：一第一电极和一第二电极；一第一介电层、一第二介电层和一离子提供层串联地位于该第一电极和该第二电极之间，该离子提供层直接位于该第二介电层上，且包括一离子源，该离子源含铜碲化合物，适于在该第一介电层和该第二介电层之中形成多个导电桥；其中，该第一介电层具有一第一厚度，且该第二介电层具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度；以及一中间离子提供层，位于该第一介电层和该第二介电层之间的一界面上，且含铜碲化合物。