发光二极管

摘要

本发明公开多种发光二极管，发光二极管包括蓝宝石基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于蓝宝石基板上。有源层具有缺陷密度为DD≥2×10⁷/cm³的活性区，有源层位于N型半导体层与P型半导体层之间。有源层发出的光波长λ满足222nm≤λ≤405nm，有源层包括i层的量子磊层及(i-1)层量子阱层。各量子阱层位于任意两层量子磊层之间，i为大于等于2的自然数。其中一种发光二极管的有源层中，掺杂N型杂质于量子磊层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≥i/2，当i为奇数时，k≥(i-1)/2。第一电极与第二电极分别位于N型半导体层与P半导体层上。

主权项

一种发光二极管，包括：一基板；一N型半导体层，位于该基板上；一有源层，具有一缺陷密度DD，其中DD≥2×10⁷/cm³，该有源层位于该N型半导体层的部分区域上，该有源层发出的光波长λ满足222nm≤λ≤405nm，该有源层包括i层的量子磊层以及(i‑1)层量子阱层，各量子阱层位于任意两层量子磊层之间，且i为大于等于2的自然数，其中掺杂N型杂质于所述量子磊层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≥i/2，当i为奇数时，k≥(i‑1)/2；一P型半导体层，位于该有源层上；以及一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极位于该N型半导体层的部分区域上，且该第二电极位于该P型半导体层的部分区域上。