发明名称 一种用于太阳能电池的链式扩散工艺
摘要 本发明公开了一种用于太阳能电池的链式扩散工艺,其利用在链式扩散后硅片的表面生长一层较厚的氧化层,再将氧化层清洗掉,利用该方法来去除扩散表面的高掺杂区,提高扩散后硅片的少子寿命;在高温下利用水蒸气与硅片扩散面进行反应,在短时间内快速生长出较厚的氧化层;最后去除氧化层。解决常规扩散工艺无法避免产生“死层”的现象,进一步减少表面浓度,提高少子寿命,提高电池的转化效率,降低太阳能电池的生产成本。
申请公布号 CN102881767B 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201210343340.5 申请日期 2012.09.17
申请人 天威新能源控股有限公司 发明人 李质磊;袁泽锐;林洪峰;张凤鸣;盛雯婷
分类号 H01L31/18(2006.01)I;B41M1/12(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人 廖曾
主权项  一种用于太阳能电池的链式扩散工艺,其特征在于:包括如下步骤:步骤A:采用丝网印刷磷浆工艺进行链式扩散或喷涂磷酸水溶液工艺进行链式扩散,在基体硅片(1)表面形成丝网印刷表层磷浆层(2);步骤B:在步骤A后,进行高温链式扩散工艺处理,将丝网印刷表层磷浆层(2)转化,等形成的P原子扩散进入基体硅片表面形成N型层,同时基体硅片表面形成有杂质层,我们将N型层和杂质层总称为链式扩散后表层杂质分布层(3);步骤C:在步骤B后,对链式扩散后表层杂质分布层(3)的表面进行氧化处理,在链式扩散后表层杂质分布层(3)表面快速生长一层均匀分布的氧化层(4);步骤D:将步骤C中的氧化层(4)去除,形成去除氧化层后硅片表面杂质分布层(5);所述氧化处理的方法为高温湿氧氧化;高温湿氧氧化的过程为:将步骤B处理后的基体硅片(1)放在密闭的高温炉中,然后通入高温水蒸气,通过水蒸气与硅片表面扩散层之间的反应来快速生长氧化层。
地址 610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区天威路1号