| 发明名称 | 制造太阳能电池的方法及太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种制造太阳能电池的方法及太阳能电池。制造太阳能电池的方法包括下列步骤：提供一第一导电型层，第一导电型层具有一上表面。掺杂一掺质至第一导电型层中，以于第一导电型层的上表面的下方形成一第二导电型层。第二导电型层具有一轻掺杂区。利用一激光掺杂制程掺杂掺质至第二导电型层的轻掺杂区中，以于第二导电型层的轻掺杂区中形成一半导体图案层。半导体图案层的掺质浓度大于第二导电型层的轻掺杂区的掺质浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN104143583B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201310165702.0 | 申请日期 | 2013.05.08 |
| 申请人 | 昱晶能源科技股份有限公司 | 发明人 | 洪光辉;颜贤成;吴家宏;陈易聪;柯震宇;陈玄芳;欧乃天;黄桂武;童智圣 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种制造太阳能电池的方法，其特征在于，包含：提供一第一导电型层，该第一导电型层具有一上表面；掺杂一掺质至该第一导电型层中，以于该第一导电型层的该上表面的下方形成一第二导电型层，其中该第二导电型层具有一轻掺杂区；以及利用一第一激光掺杂制程掺杂该掺质至该第二导电型层的该轻掺杂区中，以于该第二导电型层的该轻掺杂区中形成一半导体图案层，其中该半导体图案层的掺质浓度大于该第二导电型层的该轻掺杂区的掺质浓度。 | ||
| 地址 | 中国台湾苗栗县竹南镇新竹科学园区科北一路21号 | ||