发明名称 | 晶圆背面金属化的方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种晶圆背面金属化的方法,在金属钛层表面形成氮化镍层以改善作为缓冲层的金属镍层的热膨胀系数,并将现有技术中通过一次物理气相沉积的金属银层的工艺改为通过循环多次的沉积、冷却分步形成金属银层,并在每步沉积金属银时保持晶圆的温度不高于预定温度,减小了由于晶圆在沉积过程中温度过高导致的晶圆背面金属层受热膨胀,进而导致晶圆翘曲的问题,提高了产品的良率。 | ||
申请公布号 | CN103811293B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
申请号 | CN201210442362.7 | 申请日期 | 2012.11.07 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张伟;闫晓多;麻冰欣;刘杰;欧阳东 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
主权项 | 一种晶圆背面金属化的方法,包括:步骤A:对晶圆背面进行化学机械研磨以平坦化;步骤B:通过物理气相沉积在所述晶圆背面形成金属钛层;步骤D:通过物理气相沉积形成金属银层;其特征在于,在所述步骤B和步骤D之间还具有步骤C:在氮气的氛围下进行物理气相沉积,以在金属钛层表面形成氮化镍层;其中,步骤D还包括:在所述步骤C形成的氮化镍层表面通过物理气相沉积形成步骤D所述金属银层,在当晶圆温度到达预定温度时停止沉积,并对晶圆进行冷却;步骤D后还具有步骤E:循环执行步骤D以使金属银层的厚度达到预定厚度。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |