发明名称 液晶显示装置
摘要 本发明提供一种液晶显示装置,可降低顶栅型的薄膜晶体管的断开泄漏电流且可提高显示品质。液晶显示装置具有第一基板,该第一基板形成有与来自栅极线的扫描信号同步地将来自漏极线的图像信号向像素电极输出的薄膜晶体管,该薄膜晶体管具备:栅电极形成于比半导体层更远离第一基板的一侧且漏电极与漏极线连接的第一薄膜晶体管;与第一薄膜晶体管串联连接且源电极与像素电极电连接的第二薄膜晶体管;形成于半导体层与第一基板之间且将从第一基板侧入射的背光遮光的遮光层,所述遮光层从平面看与第一薄膜晶体管重叠形成,将向第一薄膜晶体管侧入射的背光遮断,并且使向第二薄膜晶体管侧入射的背光通过。
申请公布号 CN103034000B 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201210358763.4 申请日期 2012.09.25
申请人 株式会社日本显示器 发明人 松村和音;佐藤秀夫;笹沼启太
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张劲松
主权项 一种液晶显示装置,具有:第一基板,其上形成有沿X方向延伸且在Y方向并行设置的栅极线、沿Y方向延伸且在X方向并行设置的漏极线、与来自所述栅极线的扫描信号同步地将来自所述漏极线的图像信号向像素电极输出的双栅构造的薄膜晶体管;第二基板,其经由液晶层与所述第一基板相对配置,其特征在于,所述双栅构造的薄膜晶体管由顶栅型的薄膜晶体管构成,该顶栅型的薄膜晶体管将栅电极形成于比半导体层更远离所述第一基板的一侧,所述半导体层包括第一沟道区域及第二沟道区域,所述第一沟道区域位于比所述第二沟道区域更靠所述漏极线侧的位置,所述图像信号从所述第一沟道区域经由所述第二沟道区域向所述像素电极输出,遮光层形成于所述第一沟道区域与所述第一基板之间且形成于从平面看与所述第一沟道区域重叠的位置,将从所述第一基板侧入射的背光遮断,所述遮光层被配置成从平面看不与所述第二沟道区域重叠,所述背光从相对于所述第一基板垂直的方向入射到所述第二沟道区域。
地址 日本东京都