一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法

摘要

本发明涉及一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法，制作工艺流程为（1）线路基板的制备→（2）镜面铝的准备→（3）假贴→（4）排板→（5）压合→（6）二次钻基准孔→（7）数控钻铣外形。本发明的镜面铝基板经测试铝的导热系数为222 w/m·k，散热效果好，能有效降低封装产品的光衰，镜面铝的反光率高，全反射率可达98%以上，封装光源的光效高，可达170 lm/W以上，用该方法制作的封装基板，可使LED照明灯具产品的成本降低30%以上，本发明的方法工艺合理，实用性强，具有很强市场应用前景。

主权项

一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)线路基板的制备：(a)开料：用电动剪床将单面覆铜板剪切成生产需要的尺寸规格；(b)一次刷板：用单面刷板机，将覆铜板表面的氧化层抛刷掉，刷辊目数为500目；(c)印湿膜：用丝网印刷的方法，在一次刷板后的覆铜板表面铜箔上均匀涂覆一层感光湿膜；(d)一次预烘：将印好湿膜的覆铜板放置在烘箱中烘烤，烘烤温度70～80℃，时间为20～30分钟；(e)一次曝光：将预先光绘好的线路底片覆盖在预烘后的覆铜板上，用8KW紫外曝光机曝光，能量设定值为350毫焦；(f)一次显影：将一次曝光后的覆铜板经过显影机显影，显影液1％‑3％无水碳酸钠，温度为28～32℃，时间为1～2分钟，喷淋压力为1～5Kg/cm²；(g)检验：检测线路图形的完整性；(h)蚀刻：用酸性氯化铜蚀刻液将没有被湿膜覆盖的铜层腐蚀掉，保留需要的线路铜箔，蚀刻液的条件：铜含量为140～180g/l，酸量为2～3N，氧化还原电位为450～550mv，温度为49～54℃；(i)去膜：用3％～5％的氢氧化钠溶液将蚀刻后的线路表面湿膜清除干净；(j)二次刷板：用单面刷板机，将线路基板表面的氧化层抛刷掉，刷辊目数为500目；(k)印阻焊白油：用丝网印刷的方法，在二次刷板后的线路基板表面均匀涂覆一层型号为太阳PSR2000 CE800W的感光阻焊白油；(l)二次预烘：将印好阻焊白油的的线路基板放置在烘箱中烘烤，烘烤温度70～80℃，时间为20～30分钟；(m)二次曝光：将预先光绘好的阻焊底片，覆盖在二次预烘后的线路基板上，用8KW紫外曝光机曝光，能量设定值为950毫焦；(n)二次显影：将二次曝光后的线路基板经过显影机显影，显影液1％～3％无水碳酸钠，温度为28～32℃，时间为1～2分钟，喷淋压力为1～5Kg/cm²；(o)后固化：将二次显影后的线路基板放置于烘箱中烘烤，烘烤温度150℃，时间为60分钟；(p)化学镍钯金：采用了安美特Universal ASF II化学镍钯金体系，在打金线焊盘的表面镀覆一层合金镀层；(q)压合胶膜假贴：采用胶辊热压工艺，将胶膜与线路层假贴合，假贴工艺条件：压力1～4Kg/cm²，温度80～120℃；(r)一次钻基准孔：利用全自动影像打孔机先识别线路定位孔的图形，然后钻定位孔，孔径为2.0mm；(s)固晶区铣内模：利用钻好的定位孔定位，线路基板在数控铣床上加工出所需的镜面裸露图形；(t)胶膜预固化：将铣好内模槽的线路基板放置在烘箱中烘烤，烘烤温度60～80℃度，时间为20～40分钟；(2)镜面铝的准备：采用了Mirro 2silve系列，其技术参数为全反射率>98％、漫反射率<5％；(3)假贴：采用胶辊热压工艺，将步骤(2)准备的镜面铝板整平后与步骤(1)中制备的线路基板假贴合，假贴工艺条件：压力1～4Kg/cm²，温度80～120℃；(4)排板：将基板、离型膜、胶垫、钢板按一定顺序排列叠合；(5)压合：在热压合机上，加热加压；(6)二次钻基准孔：利用全自动影像打孔机先识别线路定位孔的图形，然后钻定位孔，孔径为2.0mm；(7)数控钻铣外形。