LED芯片及制造方法

摘要

本发明提出了一种LED芯片及制造方法。热扩散片(2)采用铜和铝，并且面积和厚度应足够大，以达到散降低热流密度作用；晶片(1)直接焊接贴在热扩散片(2)的A面，以消减两者之间的导热温差为主，而之间的绝缘次之，安全所需的高压绝缘层(4)设在热扩散片(2)的B面；晶片(1)镶嵌在晶片定位片(28)上的晶片定位嵌口中。采用晶片定位板工艺，解决了晶片(1)与热扩散片(2)对位焊接，设备昂贵，生产效率低下的问题。

主权项

一种LED芯片，包括有晶片(1)、晶片定位片(28)和热扩散片(2)，其特征在于：晶片定位片(28)采用绝缘片材制成，并开有晶片定位嵌口，晶片(1)镶嵌在晶片定位片(28)上的晶片定位嵌口中；热扩散片(2)是一种包括有以下三种特征的金属片，(1)热扩散片(2)基本材料为铜或铝，或铜铝复合材料，(2)热扩散片(2)的面积大于5倍的晶片面积，(3)热扩散片(2)包括有A面和B面，晶片(1)直接贴在该A面，或该A面上直接设置有低压绝缘层(8)，晶片(1)直接贴在该低压绝缘层(8)上，该低压绝缘层(8)是采用了通过气相沉积生成的陶瓷绝缘膜，或通过阳极氧化直接从热扩散片(2)上的金属铝表面生长出的氧化铝膜，该氧化铝膜的厚度小于50μm。