一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干间隔设置的氧化物虚拟核；步骤S2：沉积间隙壁材料层，以覆盖所述氧化物虚拟核和所述半导体衬底；步骤S3：对水平方向上的所述间隙壁材料层进行等离子体处理，以在所述半导体衬底上方和所述氧化物虚拟核顶部上方形成改性层；步骤S4：去除所述改性层，以在所述氧化物虚拟核的侧壁上形成间隙壁；步骤S5：去除所述氧化物虚拟核，以得到鳍片图案。本发明的优点在于使所述双图案制备方法更加稳健，制备得到的FinFET具有更好的性能和良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干间隔设置的氧化物虚拟核；步骤S2：沉积间隙壁材料层，以覆盖所述氧化物虚拟核和所述半导体衬底；步骤S3：对水平方向上的所述间隙壁材料层进行等离子体处理，以在所述半导体衬底上方和所述氧化物虚拟核顶部上方形成改性层；步骤S4：去除所述改性层，以在所述氧化物虚拟核的侧壁上形成间隙壁；步骤S5：去除所述氧化物虚拟核，以得到鳍片图案。