| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，第一区域和第二区域基底表面还形成有层间介质层，且层间介质层覆盖于第一伪栅侧壁表面和第二金属栅极侧壁表面；采用同步脉冲刻蚀工艺刻蚀去除第一伪栅，在第一区域层间介质层内形成第一开口；采用同步脉冲法对第一开口进行刻蚀后处理，且刻蚀后处理的处理气体包括四氟化碳气体；形成填充满第一开口的第一金属栅极。本发明层间介质层被刻蚀去除的厚度小，且图形稀疏区和图形密集区层间介质层被刻蚀去除的厚度一致，从而改善半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105826259A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510009352.8 | 申请日期 | 2015.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;黄瑞轩 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和第二区域的基底，所述第一区域部分基底上形成有第一伪栅，所述第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，所述第一区域和第二区域基底表面还形成有层间介质层，且所述层间介质层覆盖于第一伪栅侧壁表面和第二金属栅极侧壁表面；采用同步脉冲刻蚀工艺刻蚀去除所述第一伪栅，在第一区域层间介质层内形成第一开口；采用同步脉冲法对所述第一开口进行刻蚀后处理，且所述刻蚀后处理的处理气体包括四氟化碳气体；形成填充满所述第一开口的第一金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||