一种提高晶片腐蚀均匀性的装置

摘要

本实用新型公开了一种提高晶片腐蚀均匀性的装置，包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上，第一喷淋装置的长度与晶片的半径或直径一致，其喷出的化学药液可瞬间同时覆盖晶片的表面。本实用新型通过设置第一喷淋装置，在喷射化学药液时，伴随晶片高速旋转的状态，可在晶片表面瞬时均匀覆盖化学药液，使得晶片表面各处同时与化学药液产生反应，解决了现有技术中化学药液在起喷点处腐蚀速率高于晶片其他各处的问题，提高了晶片的腐蚀的均匀性；进一步的，在晶片腐蚀过程中，还可通过调整第二喷淋装置的摆动速率，精确控制晶片腐蚀速率，进一步提高晶片的腐蚀均匀性。

主权项

一种提高晶片腐蚀均匀性的装置，包括用于承载晶片的晶片载具，所述晶片载具可带动晶片旋转至预设旋转速度，其特征在于，还包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,所述第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上；其中，所述第一喷淋装置的长度与所述晶片的半径或直径一致，可在晶片表面瞬时均匀覆盖化学药液，其具有用于盛装化学药液的中空腔体，所述中空腔体的上表面连通用于供给化学药液的第一进液管路，所述第一进液管路上设有第一控制阀以控制化学药液的流通，所述中空腔体的下表面设有若干均匀分布的喷射孔以及第二控制阀，所述第二控制阀同时控制各喷射孔的启闭，以使所述喷射孔喷出的化学药液同时覆盖所述晶片表面。